Resumen

Se depositaron películas delgadas de dióxido de titanio sobre sustratos de silicio cristalino mediante deposición física de vapor por haz de electrones. La deposición se realizó en un vacío que oscilaba entre 10-5 y 10-6 Torr sin gases de proceso, lo que dio lugar a capas homogéneas de TiO2-x con un grosor de unos 100 nm. A continuación, las muestras se recocieron a altas temperaturas, entre 500°C y 800°C, durante 4 horas bajo nitrógeno, y se caracterizaron sus propiedades estructurales y ópticas junto con su estructura química antes y después del recocido. La caracterización química y estructural reveló una película de TiO2-x subestequiométrica con vacantes de oxígeno, huecos y una capa de óxido de interfaz. A partir de la difracción de rayos X se comprobó que las películas depositadas eran amorfas y que la cristalización a la fase anatasa se producía en las muestras recocidas y era más pronunciada para temperaturas de recocido superiores a 700°C. El índice de refracción obtenido mediante elipsometría espectroscópica osciló entre 2,09 y 2,37 en el rango de longitudes de onda, de 900 nm a 400 nm para la muestra tal y como fue depositada, y saltó al rango entre 2,23 y 2,65 para las muestras recocidas a 800°C. La reflectancia mínima de la superficie pasó de alrededor de 0,6 para las muestras as-depositadas a 2,5 para las muestras recocidas a 800°C.

• Materias:Corrosión del acero Aceites y grasas Polimeros Acero Acero inoxidable Descarga eléctrica microfluidos
• Subjects:Corrosion of steel Oils and fats Polymers Steel Stainless steel Electric shock microfluids
• Palabras claves:muestra depositada, muestra, película de tio2-x subestequiométrica, deposición física de vapor, capa de tio2-x homogénea, sustrato de silicio cristalino, reflectancia superficial mínima, capa de óxido de interfaz, caracterización estructural, alta temperatura
• Keywords:deposited sample, sample, substoichiometric tio2-x film, physical vapor deposition, homogeneous tio2-x layer, crystalline silicon substrate, minimum surface reflectance, interface oxide layer, structural characterization, high temperature