En este trabajo se presenta un modelo continuo de la evolución de los defectos puntuales durante la irradiación de un material compuesto multicapa. Se utilizan ecuaciones de equilibrio no estacionarias para describir la producción, recombinación, transporte y aniquilación, o eliminación, de vacantes e intersticiales en un sistema de tres capas β-α-β (α = Cu y β = Nb, V o Ni). Además, se tiene en cuenta el transporte y el atrapamiento de los defectos puntuales en las interfaces. También se realiza una investigación numérica sobre las similitudes y diferencias entre los sistemas Cu/Nb, Cu/V y Cu/Ni. Una comparación general de los resultados del modelo revela que la concentración media de vacantes suele ser mayor que la del SIA en ambas capas para todos los sistemas investigados. Esto es una consecuencia de la mayor velocidad de difusión de los SIAs con respecto a las vacantes. El estado estacionario se alcanza sin saturar las trampas de defectos puntuales de la interfaz en todos los sistemas excepto en Cu/Ni para el caso de los SIAs. También se puede observar que los sistemas Cu/Nb y Cu/V tienen un comportamiento muy similar en cuanto a la evolución temporal de los defectos puntuales en el cobre (capa α), mientras que la mayor concentración de SIA en estado estacionario se muestra en la estructura Cu/Ni. Además, el sistema Cu/V muestra la menor concentración de vacantes en estado estacionario en la capa β.
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