Resumen

Se han fabricado heterouniones ZnO/Si mediante la técnica de recubrimiento por espinamiento de nanoescamas de ZnO sobre silicio monocristalino tipo p. Se han registrado los espectros de fotoluminiscencia de heterouniones ZnO/Si crecidas y recocidas bajo excitación de 336 nm. Los espectros de fotoluminiscencia de las heterouniones ZnO/Si se han registrado bajo la excitación de 336 nm. Se han analizado multipicos entre ∼360 nm y ∼430 nm de heterouniones ZnO/Si recocidas, cuyos orígenes se han atribuido a los efectos de uno o múltiples fonones LO. Los efectos rectificadores pueden observarse en los dispositivos prototípicos basados en heterouniones ZnO/Si. Aunque los parámetros obtenidos mediante el análisis de las características de densidad de corriente-voltaje se alejan de los del dispositivo ideal, se cree que las heterouniones ZnO/Si del presente trabajo serán un candidato potencial en el campo optoelectrónico mediante la modulación y optimización de las condiciones de fabricación.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Fotocatálisis Nanopartículas
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Photocatalysis Nanoparticles
• Palabras claves:heterouniones si, zno, lo fonones múltiples, silicio monocristalino, técnica de recubrimiento por espín, efectos, espectros de fotoluminiscencia, nanoescamas de zno, densidad de corriente, condiciones de fabricación
• Keywords:si heterojunctions, zno, multiple lo phonons, single crystal silicon, spin coating technique, effects, photoluminescence spectra, zno nanoflakes, current density, fabrication conditions