Resumen

La epitaxia en fase vapor y en fase sólida se utiliza para el engrosamiento de una capa semilla de silicio cristalizado en fase sólida sobre vidrio. Las imágenes de microscopio de transmisión transversal confirman que se ha producido una transferencia de información cristalográfica de la capa semilla a las epiláminas. La difracción de rayos X, la microscopía electrónica de barrido y la microscopía electrónica de transmisión revelan que la densidad de defectos planares (principalmente en las planicies { 111 }) en la muestra epitaxial en fase vapor es mucho mayor que en la muestra epitaxial en fase sólida. Estos defectos planares pueden actuar como centros de recombinación para portadores de carga libre. En consecuencia, la longitud de difusión de los portadores minoritarios modelada mediante PC1D en la epilámina cultivada en fase vapor es un 50% más corta que en la epilámina cultivada en fase sólida. Como resultado, una célula solar cultivada mediante epitaxia en fase sólida alcanza un voltaje de circuito abierto de 468 mV, una corriente de cortocircuito de 9,17 mA/cm2 y una eficiencia de conversión fotovoltaica del 2,75%, todos ellos superiores a los de la célula solar cultivada mediante epitaxia en fase vapor sobre la misma capa semilla, 400 mV, 7,28 mA/cm2 y 1,69%, respectivamente. Esto demuestra que la epitaxia en fase sólida es más adecuada que la epitaxia en fase de vapor para el crecimiento de células solares sobre la capa semilla de silicio cristalizado en fase sólida.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:epitaxia de fase, fase, capa semilla de silicio, vapor, muestra epitaxial, defectos planares, célula solar, longitud de difusión de portadores minoritarios, imágenes de microscopio de transmisión seccional, tensión de circuito abierto
• Keywords:phase epitaxy, phase, silicon seed layer, vapour, epitaxial sample, planar defects, solar cell, minority carrier diffusion length, sectional transmission microscope images, open circuit voltage