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Deep Level Saturation SpectroscopyEspectroscopia de saturación de niveles profundos

Resumen

Revisamos la "Espectroscopia de Saturación de Niveles Profundos" (DLSS) como método no lineal para estudiar los defectos locales profundos en semiconductores. La esencia del método viene determinada por los procesos de modulación láser suficientemente fuerte (hasta la saturación) de la absorción cuasiestacionaria en dos pasos de la luz de la sonda a través de niveles profundos (DL). El DLSS se basa en procesos no equilibrados de los cambios de población inducidos ópticamente para los niveles profundos que conducen a los cambios en la absorción de una impureza. Este método nos permite la separación de las contribuciones espectrales de diferentes centros profundos (incluso en el caso de su solapamiento espectral completo), sobre la base de la diferencia de su actividad óptica (secciones transversales de captura de fotones) y de su diferencia de electroactividad (coeficientes de captura de portadores). Como se ha demostrado, el DLSS permite determinar directamente el principal conjunto de parámetros fenomenológicos (secciones transversales, concentración, energía ligada, etc.) de los defectos locales profundos, su contenido y su posición energética en el hueco de banda. También se mostraron algunos aspectos importantes del DLSS: la posibilidad de conectar directamente los datos medidos con los centros locales que participan en la recombinación radiativa, y también la posibilidad de estudiar directamente los procesos de relajación de fonones en los estados localizados de defectos profundos.

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