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Crystal structure and electronic structure of quaternary semiconductors Cu2ZnTiSe4 and Cu2ZnTiS4 for solar cell absorberEstructuras cristalina y electrónica de semiconductores cuaternarios Cu2ZnTiSe4 y Cu2ZnTiS4 para absorbedores de celdas solares

Resumen

Los autores de esta investigación diseñaron dos nuevos semiconductores cuaternarios Cu2ZnTiSe4 y Cu2ZnTiS4 tipo I2-II-IV-VI4 y estudiaron sistemáticamente sus estructuras cristalina y electrónica empleando cálculos de primeros principios de estructura electrónica. Entre las estructuras cristalinas consideradas, se confirmó que las brechas energéticas (band gaps) de Cu2ZnTiSe4 y Cu2ZnTiS4 se originaban de la banda de valencia 3d de Cu totalmente ocupada y la banda conductora 3d de Ti; asimismo, la estructura de la kesterita debía estar en su estado fundamental.

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Información del documento

  • Titulo:Crystal structure and electronic structure of quaternary semiconductors Cu2ZnTiSe4 and Cu2ZnTiS4 for solar cell absorber
  • Autor:Wang, Xiaofeng; Li, Junjie; Zhao, Zhenjie; Huang, Sumei; Xie, Wenhui
  • Tipo:Artículo
  • Año:2012
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Cornell University
  • Materias:Ingeniería de la producción Materiales Semiconductores
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