Resumen

Se sugiere un novedoso mecanismo de descomposicin (BD) de impurezas superficiales (SI) bajo el campo elctrico a bajas temperaturas para muestras con las concentraciones de donantes y el grado de compensacin con aceptores de concentracin en los campos magnticos externos hasta , orientados paralela o perpendicularmente al campo elctrico externo. El diagnstico del mecanismo de BD se realiz mediante los mtodos SI Zeeman (principalmente desde el estado bsico hasta y otros estados de excitacin) y espectroscopia fotoelctrica de resonancia de ciclotrn (PES) en el amplio intervalo del campo elctrico, incluida tambin la regin BD. Los resultados obtenidos revelan que el campo elctrico BD no se correlaciona con la movilidad de los portadores de las muestras, lo que contradice el conocido mecanismo de ionizacin por impacto (IIM). Una seria discrepancia con el IIM es que casi no depende del campo magntico hasta cuando aunque la energa de ionizacin SI aumenta dos veces. Las medidas de resonancia de ciclotrn (CR) muestran que la anchura de la lnea no depende del campo elctrico para , lo que indica la ausencia de calentamiento de portadores libres (FC) en contradiccin con el IIM. Mediante la investigacin PES de las lneas y CR en los campos elctricos y a diferentes campos magnticos, aplicados a lo largo () del campo elctrico o perpendicular () al campo elctrico, se observa una disminucin considerable del rea de la seccin transversal de captura de portadores libres (CCS) por los centros SI ionizados con el consiguiente aumento de la concentracin de FC. La pendiente de la intensidad de la lnea en el campo elctrico para no depende del campo magntico, lo que tambin es vlido para. Varios efectos determinados en las medidas PES en , tales como un drstico estrechamiento de las lneas y CR, un desplazamiento de la lnea CR hacia campos magnticos ms altos, y la desaparicin de las lneas hacia estados SI excitados ms altos, se aclar que eran el resultado del apantallamiento del potencial de Coulomb SI por portadores libres. El apantallamiento del FC en la BD reduce la fluctuacin del potencial y su influencia en la forma de la lnea PES y otros estados excitados. Se demuestra que un aumento de la concentracin de FC reduce el CCS, que puede asumirse como el factor principal junto con el aumento del coeficiente de ionizacin para la ruptura SI en el campo elctrico. La longitud de apantallamiento del potencial de Coulomb SI disminuye con el aumento de la concentracin de FC, reduciendo el CCS; este ltimo parece desaparecer completamente en ( es el radio de Bohr efectivo), cuando un alto apantallamiento da lugar a la desaparicin de todos los estados ligados del potencial de Coulomb. Ntese que este lmite es similar a la transicin de Mott. Muchos hechos experimentales y nuestro clculo del CCS apoyan el mecanismo sugerido para la ruptura SI. La conocida IIM es vlida para muestras con concentraciones SI y tiene lugar a campos elctricos muy altos.

• Materias:Espectrofotométricos Espectros Raman Nanodiamantes Características espectrales Oxicombustible
• Subjects:Spectrophotometric Raman spectra Nanodiamonds Spectral characteristics Oxyfuel
• Palabras claves:Mecanismo; Descomposición; Campo eléctrico; Impureza; Resonancia ciclotrónica; Concentración
• Keywords:Mechanism; Breakdown; Electric field; Impurity; Cyclotron resonance; Concentration