Resumen

Hemos investigado los transistores de película fina (TFT) amorfos de óxido de indio, galio y zinc (a-IGZO) utilizando diferentes materiales dieléctricos de puerta de alta k, como el nitruro de silicio (Si3N4) y el óxido de aluminio (Al2O3) a baja temperatura (<300°C) y los hemos comparado con el dióxido de silicio (SiO2) a baja temperatura. Se espera que el dispositivo IGZO con material dieléctrico de puerta de alta k obtenga una alta densidad de capacitancia de puerta para inducir una gran cantidad de portadora de canal y generar una mayor corriente de accionamiento. Además, para el proceso de integración del dispositivo IGZO integrado, el tratamiento posterior al recocido es un proceso esencial para completar el proceso. La reacción química de la interfaz high-k/IGZO debida a la formación de calor en los materiales high-k/IGZO provoca problemas de fiabilidad. También utilizamos la tensión de tensión para comprobar la fiabilidad del dispositivo con diferentes materiales dieléctricos de puerta de alto k y explicamos el efecto de la interfaz mediante el diagrama de banda de carga.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:materiales dieléctricos de puerta k, dispositivo igzo, óxido de indio, galio y zinc amorfo, alta densidad de capacitancia de puerta, material dieléctrico de puerta k, dióxido de silicio a baja temperatura, resultados de materiales igzo, diagrama de banda de carga, proceso a baja temperatura, transistores de película fina
• Keywords:k gate dielectric materials, igzo device, amorphous indium gallium zinc oxide, high gate capacitance density, k gate dielectric material, low temperature silicon dioxide, igzo materials results, charge band diagram, low temperature process, thin film transistors