Resumen

Se fabricó un dispositivo orgánico emisor de luz (OLED) con estructuras simples de óxido de indio y estaño (ITO)/tris(8-quinolinolato) aluminio (Alq3)/LiF/Al e ITO/Alq3/Al para analizar la contribución del LiF en el OLED. Utilizamos las características C-V para investigar la contribución del LiF en los OLED y descubrimos que la capacitancia de las estructuras mencionadas era de 12,5 nF y 77,5 nF, respectivamente. Se demuestra que la capa de LiF afecta a la propiedad del OLED dando lugar al cambio de la capacitancia del dispositivo.

• Materias:Electroquímica Energía solar Fotocatálisis Nanoestructuras Rayos ultravioleta
• Subjects:Electrochemistry Solar energy Photocatalysis Nanostructures Ultraviolet rays
• Palabras claves:óxido de indio y estaño, lif, oled, capacitancia, contribución, dispositivo, capa lif, características v, luz orgánica, estructuras sencillas
• Keywords:indium tin oxide, lif, oled, capacitance, contribution, device, lif layer, v characteristics, organic light, simple structures