Hemos estudiado las películas de óxido de silicio hidrogenado de tipo p ( S i O x :H) preparadas en la región de transición amorfa a microcristalina como capa ventana en células solares multiunión a-Si:H/a- S i 1 - y G e y :H . Al aumentar la relación de flujo H 2 - a S i H 4 ( R H 2 ) de 10 a 167, las películas de S i O x :H(p) permanecieron amorfas y mostraron un mayor contenido de hidrógeno del 10,2% al 12,2%. En comparación con la película amorfa de S i O x :H(p) preparada a R H 2 bajo, la película de S i O x :H(p) depositada a R H 2 de 167 presentaba un bandgap más alto de 2,04 eV y una conductividad más alta de 1,15 × 10-5 S/cm. Con el empleo de películas de S i O x :H(p) preparadas aumentando R H 2 de 10 a 167 en una célula de unión simple a-Si:H, la FF mejoró del 65% al 70
y la eficiencia aumentó del 7,4% al 8,7%, debido a las propiedades optoeléctricas mejoradas de S i O x :H(p) y a la interfaz p/i mejorada. Sin embargo, la célula que empleó la película de S i O x :H(p) con R H 2 sobre 175 degradó la interfaz p/i y degradó el rendimiento de la célula, lo que se debió al inicio de la cristalización en la capa ventana. En comparación con la célula que utilizaba a- S i C x :H(p) estándar, las células tándem a-Si:H/a- S i 1 - y G e y :H que empleaban S i O x :H(p) depositado con R H 2 de 167 mostraron una eficiencia mejorada del 9,3% al 10,3%, con V O C de 1,60 V, J S C de 9,3 mA/cm2, y FF del 68,9%.
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