Biblioteca73.326 documentos en línea

Artículo

Study of Interface Charge Densities for ZrO2 and HfO2 Based Metal-Oxide-Semiconductor DevicesEstudio de las densidades de carga de interfaz para dispositivos semiconductores de óxido metálico basados en ZrO2 y HfO2

Resumen

Se ha investigado metódicamente una distribución interfacial dependiente del espesor de las cargas de óxido para estructuras delgadas de semiconductores de óxido metálico (MOS) que utilizan materiales de alta k ZrO2 y HfO2. Las densidades de carga de la interfaz se analizan mediante el método de capacitancia-voltaje (C-V) y también de conductancia (G-V). Se indica que, al reducir el espesor efectivo del óxido (EOT), las densidades de carga de la interfaz (Dit) aumentan linealmente. Para el mismo EOT, se ha encontrado que Dit para los materiales es del orden de 1012 cm-2 eV-1 y se origina un buen acuerdo con los resultados de fabricación publicados a un nivel de dopaje tipo p de 1×1017 cm-3. Los cálculos numéricos y las soluciones se realizan con MATLAB y la simulación del dispositivo se realiza con ATLAS.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento