Se investigan las constantes elásticas de segundo orden, las constantes elásticas de tercer orden y la energía de apilamiento-falla generalizada para el semiconductor GaAs utilizando los cálculos de primeros principios. Las predicciones de las constantes elásticas se obtienen a partir de los coeficientes de los polinomios ajustados de las funciones energía-deformación. Se observa que los efectos elásticos no lineales deben ser considerados cuando las deformaciones aplicadas son mayores que aproximadamente el 1,5%. Con las deformaciones lagrangianas de hasta el 6,4%, los términos incluidos hasta el tercer orden en las funciones de expansión de energía son suficientes. Las constantes elásticas dadas en este trabajo concuerdan bien con los resultados anteriores y los datos experimentales, excepto para C144. El C144 dado por el presente trabajo es un valor positivo, y la estimación de 3 GPa concuerda bien con el resultado experimental de 2 GPa. Los resultados de la investigación pueden proporcionar una referencia para entender la elasticidad del GaAs. Se ha calculado la energía de falla de apilamiento generalizada sin y con relajación estructural, respectivamente. La energía de falla de apilamiento inestable con relajación estructural es aproximadamente dos tercios de la que se obtiene sin relajación. Se ha investigado la anchura de la dislocación y la tensión de Peierls para un parcial de 30° en el GaAs, basándose en la teoría P-N mejorada. La anchura de la dislocación es muy estrecha (sólo una quinta parte del vector b de Burgers), lo cual es razonable para materiales covalentes. La tensión de Peierls es de unos 4 GPa, lo que coincide con el resultado experimental de 2∼3 GPa.
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