Resumen

PTCDI-C8 debido a su relativamente alta fotosensibilidad y alta movilidad de electrones ha atraído mucha atención en dispositivos semiconductores orgánicos. En este trabajo, se depositaron películas delgadas de PTCDI-C8 de diferentes espesores sobre sustratos de silicio con dióxido de silicio nativo utilizando un evaporador térmico al vacío. Se han utilizado varias técnicas de caracterización de materiales para evaluar la estructura, morfología y propiedades ópticas de estas películas. Sus constantes ópticas (índice de refracción y coeficiente de extinción) se han extraído de la elipsometría espectroscópica (SE). Se emplearon la reflectividad de rayos X (XRR) y la microscopía de fuerza atómica (AFM) para determinar la morfología y la estructura, así como el espesor y la rugosidad de las películas delgadas de PTCDI-C8. Estas películas revelaron un alto grado de ordenamiento estructural dentro de las capas. Todas las mediciones experimentales se realizaron en condiciones ambientales. Las películas de PTCDI-C8 han demostrado soportar las condiciones ambientales, lo que permite su caracterización por deposición en macetas.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:ptcdi, películas delgadas, varias técnicas de caracterización de materiales, microscopía de fuerza atómica, alta movilidad de electrones, dióxido de silicio nativo, dispositivos semiconductores orgánicos, películas, morfología, estructura
• Keywords:ptcdi, thin films, several material characterization techniques, atomic force microscopy, high electron mobility, native silicon dioxide, organic semiconductor devices, films, morphology, structure