Resumen

El coeficiente de absorción a 1,4 eV se divide por el valor a 0,9 eV para obtener el factor utilizado para juzgar la calidad de μc-Si:H. El rendimiento del dispositivo fotovoltaico puede predecirse multiplicando Voc por Isc cuando se utiliza esta capa como capa intrínseca. Los resultados muestran una buena relación entre el factor de calidad y el producto de la tensión de circuito abierto y la corriente de cortocircuito. Sin embargo, la eficiencia final se ve influida por las identidades de la interfaz en la estructura multicapa.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:h. rendimiento del dispositivo fotovoltaico, coeficiente de absorción, corriente del circuito, tensión del circuito, rendimiento final, buena relación, capa intrínseca, estructura multicapa, factor de calidad, isc
• Keywords:h. pv device performance, absorption coefficient, circuit current, circuit voltage, final efficiency, good relationship, intrinsic layer, multilayer structure, quality factor, isc