Los métodos de texturización de superficies mediante una solución alcalina para células solares de Si monocristalino (c-Si) han sido ampliamente aceptados para mejorar el rendimiento de las células. Sin embargo, las células de Si multicristalino (mc-Si) son difíciles de texturizar mediante grabado alcalino, porque los granos de los sustratos están orientados aleatoriamente. En este estudio, consideramos una solución ácida HF/HNO3/H2SO4 para texturizar las células mc-Si. Evaluamos la morfología de las superficies texturizadas y los espectros de reflectancia de las superficies. Las estructuras texturadas con hoyuelos profundos se forman en las superficies durante sólo 30 segundos del proceso de texturizado con ácido. Este comportamiento se debe al efecto del H2SO4 en la solución. Con este proceso se obtienen hasta 14,7 eficiencias de onversión de las células texturizadas con ácido. Estas eficiencias de conversión son hasta 1,3 veces mayores que las de las células grabadas en espejo.
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