Resumen

Se ha fabricado un nuevo semiconductor multinario Cu2ZnSnS4-xOx (CZTSO), que no contiene elementos tóxicos ni metales raros caros, mediante el método de deposición electroquímica (ECD). Las películas delgadas de CZTSO se depositaron sobre sustratos de vidrio recubiertos de óxido de indio y estaño (ITO) mediante DC y ECD pulsada en dos pasos a partir de soluciones acuosas que contenían CuSO4, ZnSO4, SnSO4 y Na2S2O3. Las películas depositadas mediante ECD pulsada contenían menor cantidad de oxígeno que las depositadas mediante ECD DC. Las películas tenían energías de brecha de banda en un rango de 1,5 eV y 2,1 eV. Mediante una medición fotoelectroquímica, se confirmó que las películas de CZTSO mostraban conducción tipo p y fotosensibilidad. Las heterouniones CZTSO/ZnO mostraron propiedades de rectificación en una medición de corriente-voltaje.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:nuevo semiconductor multinario cu2znsns4-xox, películas delgadas de cztso, energías de brecha de banda, sustratos de vidrio recubiertos, metales raros caros, óxido de indio y estaño, ecd, películas, películas de cztso, ecd dc
• Keywords:new multinary semiconductor cu2znsns4−xox, cztso thin films, band gap energies, coated glass substrates, expensive rare metals, indium tin oxide, ecd, films, cztso films, dc ecd