Resumen

En este trabajo se ha desarrollado un método sencillo, rápido y rentable para la fabricación de alto rendimiento de matrices de nanoagujeros en silicio (Si), que se utilizan para la antirreflexión. El cristal coloidal monocapa de poliestireno (PS) a escala de oblea se desarrolló como plantilla mediante el método de recubrimiento por rotación. La máscara de sombra metálica se preparó separando las perlas de PS grabadas con oxígeno de la película de cromo depositada. Las matrices de nanoagujeros se fabricaron mediante grabado en seco con Si. Se fabricaron una serie de matrices de nanoagujeros con un diámetro similar pero con diferente profundidad. Se observó que la profundidad máxima del nanoagujero de Si venía determinada por el diámetro de la máscara de Cr. Se investigó la capacidad antirreflectante de estas matrices de Si-hole. Los resultados muestran que la reflexión disminuye con la profundidad del Si-hole. Las matrices de Si-hole más profundas muestran la mejor capacidad antirreflectante (reflexión < 9%) en longitudes de onda largas (>600 nm), que era aproximadamente el 28% de la reflexión de la oblea de silicio sin patrón. El método propuesto tiene potencial para la fabricación de alto rendimiento de obleas de silicio con patrón, y la baja reflectividad permite la aplicación de estas obleas en células solares de silicio cristalino.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:reflexión, matrices de agujeros, matrices de nanoagujeros, fabricación de alto rendimiento, máscara de sombra metálica, mejor capacidad antirreflectante, cristal coloidal monocapa, oblea de silicio sin patrón, agujero, matrices de nanoagujeros
• Keywords:reflection, hole arrays, nanohole arrays, throughput fabrication, metallic shadow mask, best antireflection ability, monolayer colloidal crystal, nonpatterned silicon wafer, hole, nanohole arrays