Resumen

Revisamos la formación de la heteroestructura de nanocables de Ge y sus características de efecto de campo mediante una reacción controlada entre un nanocable de Ge monocristalino y almohadillas de contacto de Ni utilizando un proceso de recocido térmico rápido y sencillo. La microscopía electrónica de barrido y la microscopía electrónica de transmisión demostraron un amplio rango de temperaturas de 400~500°C para convertir el nanohilo de Ge en una heteroestructura de nanohilos Ni2Ge/Ge/Ni2Ge monocristalina con interfaces atómicamente nítidas. Más importante aún, estudiamos el efecto del confinamiento del óxido durante la formación de germanuros de níquel en un nanocable de Ge. A diferencia de la formación de heteroestructuras de nanohilos Ni2Ge/Ge/Ni2Ge, se formó un segmento de NiGe epitaxial de alta calidad entre Ni2Ge con el confinamiento de Al2O3 durante el recocido. Se observó un modo de crecimiento epitaxial retorcido en ambas heteroestructuras de nanohilos de Ge para acomodar el gran desajuste de la red en la interfaz NixGe/Ge. Además, hemos demostrado transistores de efecto campo utilizando las regiones de germanuro de níquel como contactos fuente/drenaje con el canal de nanohilos de Ge. Nuestros transistores de nanocables de Ge han mostrado un comportamiento de tipo p de alto rendimiento con una alta relación de encendido/apagado de 105 y una movilidad de agujeros de efecto campo de 210 cm2/Vs, que mostró una mejora significativa en comparación con la de los transistores de nanocables de Ge sin reaccionar.

• Materias:Aluminio Materiales Soldadura Metales Soldadura de acero Hidróxido de aluminio Zinc (Zn) Zinc
• Subjects:Aluminum Materials Welding Metals Steel - Welding Aluminum hydroxide Zinc (Zn) Zinc
• Palabras claves:transistor de nanohilos ge, nanohilos, gran desajuste de red, microscopía electrónica de barrido, nanohilos ge cristalinos, heteroestructuras de nanohilos ni2ge, proceso de recocido térmico, confinamiento de al2o3, almohadilla de contacto ni, formación de ge
• Keywords:ge nanowire transistor, nanowire, large lattice mismatch, scanning electron microscopy, crystalline ge nanowire, ni2ge nanowire heterostructures, thermal annealing process, confinement of al2o3, ni contact pad, formation of ge