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Void Shapes Controlled by Using Interruption-Free Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN Films on Patterned SiO 2 AlN/Sapphire TemplateFormas de huecos controladas mediante el sobrecrecimiento lateral epitaxial sin interrupciones de películas de GaN sobre una plantilla de SiO 2 AlN/zafiro modelada

Resumen

Se propusieron capas epitaxiales de GaN con huecos de aire incrustados crecidas sobre plantillas de SiO2 AlN/zafiro. Utilizando la tecnología de sobrecrecimiento epitaxial lateral sin interrupción, se realizó un crecimiento ininterrumpido y se controló la forma de los huecos de aire incrustados. Estas capas mostraron una calidad cristalina mejorada mediante difracción de rayos X y medición de la densidad de las picaduras de grabado. En comparación con la película convencional de GaN sin dopar, la anchura máxima a la mitad de los picos de GaN (0 0 2) y (1 0 2) disminuyó de 485 a 376 segundos de arco y de 600 a 322 segundos de arco, respectivamente. Los resultados de microscopía electrónica de transmisión mostraron que el crecimiento coalescente del GaN dio lugar a una dislocación de hilos de flexión. También propusimos un modelo de crecimiento basado en los resultados de la microscopía electrónica de barrido.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Ingl閟
  • Tama駉: Kb

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Información del documento

  • Titulo:Void Shapes Controlled by Using Interruption-Free Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN Films on Patterned SiO 2 AlN/Sapphire Template
  • Autor:Yu-An, Chen; Cheng-Huang, Kuo; Li-Chuan, Chang; Ji-Pu, Wu
  • Tipo:Art韈ulo
  • Año:2014
  • Idioma:Ingl閟
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
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