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Doped Heterojunction Used in Quantum Dot Sensitized Solar CellHeterounión dopada utilizada en una célula solar sensibilizada con puntos cuánticos

Resumen

La incorporación de átomos extraños en los puntos cuánticos (QD) utilizados en la heterounión siempre ha sido un reto para la conversión de la energía solar. Se incorporó un átomo extraño de indio a los QDs de PbS/CdS para preparar la heterounión In-PbS/In-CdS mediante el método de adsorción sucesiva de capas iónicas y reacción, que es un método químico. Los resultados experimentales indican que se ha dopado PbS o CdS con In mediante el método SILAR; la concentración de PbS y CdS a los que se dopó con átomos de In no ha aumentado ni disminuido significativamente. Además, la incorporación de átomos de indio ha provocado distorsiones o cambios en la red de PbS o CdS y ha mejorado la captación de luz de la heterounión. Utilizando esta heterounión, un contraelectrodo de Pt y un electrolito de polisulfuro para fabricar células solares sensibilizadas con puntos cuánticos, la densidad de corriente de cortocircuito aumentó de 13,61 mA/cm2 a 27,01 mA/cm2 y la tensión de circuito abierto mejoró de 0,37 V a 0,43 V.

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