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Impedance and Interface Properties of Al/Methyl-Red/p-InP Solar CellImpedancia y propiedades de interfaz de la célula solar Al/Methyl-Red/p-InP

Resumen

Se fabricó una célula solar de Al/metil-rojo/p-InP mediante el método de procesamiento en solución y se caracterizó utilizando medidas de corriente-voltaje (I-V) y capacitancia-voltaje-frecuencia (C-V-f) a temperatura ambiente. A partir de las características I-V oscuras, los valores del factor de idealidad y la altura de barrera del dispositivo se calcularon en 1,11 eV y 2,02, respectivamente. Se ha observado que el dispositivo presentaba un buen comportamiento fotovoltaico con una tensión máxima en circuito abierto Voc de 0,38 V y una corriente de cortocircuito Isc de 2,8 nA con sólo 200 lx de intensidad luminosa. Los valores de altura de barrera y concentración de portador aceptor para los dispositivos Al/metil-rojo/p-InP se extrajeron como 1,27 eV y 3,46×1017 cm-3 de la región lineal de sus características C-2-V, respectivamente. La diferencia entre Φb (I-V) y Φb (C-V) para el dispositivo Al/metil-rojo/p-InP se atribuyó a la diferente naturaleza de las medidas I-V y C-V. También se obtuvieron las curvas de distribución de energía de los estados de interfaz y sus constantes de tiempo a partir de las propiedades de conductancia experimentales de la estructura Al/metil-rojo/p-InP a temperatura ambiente. Las densidades del estado de interfaz y sus tiempos de relajación del dispositivo han oscilado entre 2,96×1012 cm-2eV-1 y 4,96×10-6 s a (1,11-Ev) eV y 5,19×1012 cm-2 eV-1 y 9,39×10-6 s a (0,79-Ev) eV, respectivamente. Se ha observado que tanto la densidad del estado de interfaz como el tiempo de relajación de los estados de interfaz han disminuido con el voltaje de polarización a partir de los resultados experimentales.

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