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Artículo

Single-Ion Implantation for the Development of Si-Based MOSFET Devices with Quantum FunctionalitiesImplantación de un solo ion para el desarrollo de dispositivos MOSFET basados en Si con funcionalidades cuánticas

Resumen

El interés por la implantación de iones individuales está impulsado en parte por la investigación para el desarrollo de dispositivos de estado sólido que presenten un comportamiento cuántico en sus características electrónicas u ópticas. En este artículo se ofrece una visión general de los trabajos de investigación internacionales sobre la implantación de iones únicos y la detección de iones únicos para el desarrollo de dispositivos electrónicos para la computación cuántica. El alcance de la investigación internacional sobre la implantación de iones simples se presenta en el contexto de nuestra propia investigación en el Centro de Computación Cuántica y Tecnología de la Comunicación de Australia. Se presentan varios esquemas de detección de iones individuales y se discuten las limitaciones en la precisión de la colocación de dopantes debido al rezago de los iones, junto con las vías para la ampliación a múltiples dispositivos cuánticos en un chip. También se discuten las posibles direcciones futuras de la implantación de iones en la computación y las comunicaciones cuánticas.

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Información del documento

  • Titulo:Single-Ion Implantation for the Development of Si-Based MOSFET Devices with Quantum Functionalities
  • Autor:Jeffrey C., McCallum; David N., Jamieson; Changyi, Yang; Andrew D., Alves; Brett C., Johnson; Toby, Hopf; Samuel C., Thompson; Jessica A., van Donkelaar
  • Tipo:Artículo
  • Año:2012
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Sistema cuántico Masa (Física) fotoelectrones Iones Reacciones Nucleares
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