Se ha estudiado la influencia de las fases secundarias de ZnS y Cu2SnS3 (CTS) en el material absorbente Cu2ZnSnS4 (CZTS) calculando los desplazamientos de banda en las interfaces de heterounión multicapa CTS/CZTS/ZnS a partir del cálculo de la estructura de bandas de primeros principios. La heterointerfaz ZnS/CZTS es de tipo I y, dado que el ZnS tiene una brecha de banda mayor que la del CZTS, se predice que la fase ZnS en el CZTS son barreras resistivas para los portadores. La heterointerfaz CTS/CZTS es de tipo I; es decir, la brecha de banda del CTS se encuentra dentro de la brecha de banda del CZTS. Por lo tanto, la fase CTS actuará como un lugar de recombinación en CZTS.
Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.
Artículo:
Control híbrido de una microrred con fotovoltaica, generador diesel y BESS
Artículo:
Ensamblaje capa a capa y actividad fotocatalítica de nanocapas de titania sobre microesferas de cenizas volantes de carbón
Artículo:
Mejora de la eficiencia de las células solares de película delgada de Cu2ZnSnS4 evaporada mediante una fina capa intermedia de Ag entre el absorbedor y el contacto posterior
Artículo:
Mejora fotocatalítica para la desinfección solar del agua: Una revisión
Artículo:
Polímeros basados en benzotiofeno diona: avances recientes en celdas fotovoltaicas orgánicas
Informe, reporte:
Planta de producción de pinturas y lacas
Estudio:
Petroquímica - pinturas, barnices y lacas
Guía:
Guía de producción más limpia para el procesamiento de caña de azúcar
Informe, reporte:
La industria papelera Colombia en 2005