Las células solares CIGSSe no encapsuladas, con una rejilla de plata, se expusieron a diferentes temperaturas durante varios periodos para medir el efecto de la exposición al calor en los módulos CIGSSe. El tiempo y la temperatura del tratamiento térmico se variaron durante los experimentos, que se ejecutaron en condiciones atmosféricas. En todos los casos, tras alcanzar una temperatura de unos 300°C, la medición del IV mostró una reducción del 2-3% en términos de V O C y J S C . Esto se confirma, respectivamente, también por las mediciones Raman y EQE. La caída de la eficiencia fue de -7%, -29% y -48%, respectivamente, para 30 segundos, 300 segundos y 600 segundos de tiempo de exposición. Con temperaturas superiores a 225°C, la resistencia en serie empieza a aumentar exponencialmente y se hace visible una barrera secundaria en la curva IV. Esta barrera impide la extracción de electrones y, en consecuencia, reduce la eficiencia de las células solares. La termografía Lock-in demostró la formación de shunts en los trazos mecánicos sólo para tiempos de exposición de 300 y 600 segundos. La reducción de la resistencia de derivación es del orden de 5 en todos los periodos de tiempo.
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