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Investigation on V2O5 Thin Films for Field Effect Transistor ApplicationsInvestigación sobre películas finas de V2O5 para aplicaciones de transistores de efecto de campo

Resumen

Se analizan las películas delgadas de V2O5 para sustituir al SiO2 y reducir la corriente de fuga en los dispositivos cuando el SiO2 se vuelve ultrafino en la tecnología submicrónica. El pentóxido de vanadio (V2O5) tiene una constante dieléctrica K alta de 25 y puede ser sustituido como óxido de puerta en el transistor de efecto de campo. El V2O5 se deposita mediante deposición láser pulsada (PLD) en el entorno de oxígeno (O2) a temperatura ambiente y se caracteriza. La morfología de la superficie de las películas se ha examinado mediante microscopía electrónica de barrido. La capacitancia, la constante dieléctrica y la pérdida dieléctrica se analizan para la estructura de semiconductor de óxido metálico (MOS) fabricada utilizando el analizador de impedancia Solartron SI-1260. La característica de transferencia del dispositivo fabricado se analiza utilizando el NI-PXI 4110 de National Instruments. Se obtiene una relación ION/IOFF de 106 y una tensión umbral (VTH) de 0,6 V.

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