Resumen

El objeto del presente trabajo es desarrollar un método sencillo y eficaz para mejorar la eficiencia de conversión en células solares de gran tamaño utilizando obleas de silicio multicristalino (mc-Si). En este trabajo, células solares de tipo industrial de mc-Si con un área de 125×125 mm2 fueron grabadas al ácido para producir simultáneamente emisores de POCl3 y deposición de nitruro de silicio mediante deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD). En esta investigación también se ha analizado el estudio de la morfología superficial y la reflectividad de diferentes superficies grabadas de mc-Si. Utilizando nuestra proporción óptima de solución de grabado ácido, somos capaces de fabricar células solares mc-Si de 16,34 de eficiencia de onversión con doble capa de recubrimiento de nitruro de silicio (Si3N4). De nuestro experimento se desprende que depositando capas dobles de recubrimiento de nitruro de silicio en las células solares mc-Si se pueden obtener los parámetros óptimos de rendimiento. El circuito abierto (Voc) es de 616 mV, la corriente de cortocircuito (Jsc) es de 34,1 mA/cm2, y la longitud de difusión del portador minoritario es de 474,16 μm. El texturizado isotrópico y el enfoque de recubrimiento de capas de nitruro de silicio contribuyen a reducir el coste y conseguir una alta eficiencia en la producción en masa.

• Materias:Electroquímica Energía solar Fotocatálisis Nanoestructuras Rayos ultravioleta
• Subjects:Electrochemistry Solar energy Photocatalysis Nanostructures Ultraviolet rays
• Palabras claves:células solares si, eficiencia de conversión, células solares, nitruro de silicio de doble capa, recubrimiento de nitruro de silicio de doble capa, longitud de difusión de portadores minoritarios, enfoque de recubrimiento de capas de nitruro de silicio, parámetros óptimos de rendimiento, deposición de nitruro de silicio, circuito abierto
• Keywords:si solar cells, conversion efficiency, solar cells, double layers silicon nitride, double layers silicon nitride coating, minority carrier diffusion length, silicon nitride layers coating approach, optimal performance parameters, silicon nitride deposition, open circuit