Resumen

Se prepararon películas delgadas de TiO2 dopado con metales de transición (0,2, 1,0 y 5,0% de átomos) sobre una lámina de titanio utilizando una ruta sol-gel catalizada por acetato de amonio. Los dopantes investigados fueron los metales de transición de cuarto periodo. Las películas preparadas se caracterizaron mediante espectroscopia Raman, espectroscopia de electrones Auger y métodos fotoelectroquímicos. Las películas dopadas con metales de transición mostraron una respuesta de fotocorriente menor que las muestras no dopadas. No se observó ningún desplazamiento importante hacia el rojo en los espectros de respuesta de fotocorriente de las películas dopadas. Se observó una respuesta de fotocorriente bajo la irradiación de luz visible de las muestras y fue dependiente del potencial con un pico alrededor de -0,3 V (SCE), lo que es indicativo de la promoción de electrones desde un nivel de defecto relleno. El examen de la dependencia del potencial del nivel de defecto mediante el análisis de la respuesta corriente-tiempo bajo iluminación picada a un potencial fijo (-0,8 V- 1,07 V) dio una buena correlación con la dependencia del potencial observada en los estudios de irradiación con luz visible.

• Materias:Electroquímica Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras
• Subjects:Electrochemistry Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures
• Palabras claves:nivel de defecto, dependencia del potencial, estudios de irradiación con luz visible, espectroscopia de electrones auger, respuesta de fotocorriente inferior, desplazamiento al rojo mayor, metales de transición de periodo, espectros de respuesta de fotocorriente, irradiación con luz visible, películas
• Keywords:defect level, potential dependence, visible light irradiation studies, auger electron spectroscopy, lower photocurrent response, major red shift, period transition metals, photocurrent response spectra, visible light irradiation, films