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Emerging Nonvolatile Memories to Go Beyond Scaling Limits of Conventional CMOS NanodevicesLas nuevas memorias no volátiles superarán los límites de escala de los nanodispositivos CMOS convencionales

Resumen

El continuo escalado dimensional de la tecnología CMOS, junto con su reducción de costes, ha convertido a la memoria Flash en uno de los candidatos a memoria no volátil más prometedores durante la última década. Dado que la tecnología de memoria Flash se acerca inevitablemente a sus límites fundamentales, se están explorando nanodispositivos de almacenamiento más avanzados, que probablemente puedan superar los límites de escalado de la memoria Flash, dando lugar a una serie de nuevos paradigmas como la FeRAM, la MRAM, la PCRAM y la ReRAM. Estos dispositivos han mostrado una mayor capacidad de escalado que la memoria Flash, pero también se enfrentan a sus respectivos inconvenientes físicos. Las consiguientes ventajas y desventajas impulsan la tecnología de los dispositivos de almacenamiento de información hacia un mayor avance; en consecuencia, se han propuesto nuevos tipos de memorias no volátiles, como la memoria de carbono, la memoria de Mott, la memoria macromolecular y la memoria molecular. En este artículo se analizan los nanomateriales utilizados en estos cuatro tipos de memorias emergentes y los principios físicos que subyacen a los métodos de escritura y lectura en cada caso, junto con sus respectivas ventajas e inconvenientes en comparación con las memorias no volátiles convencionales. También se evalúan brevemente las posibles aplicaciones de cada tecnología.

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