Resumen

En este estudio se investigó la calidad cristalina del CuIn(Ga)Se2 (CIGS) y el espesor del MoSe2 de las películas producidas por el proceso de selenización térmica rápida bajo diversas presiones de selenización. Cuando la presión de selenización aumentó de 48 Pa a 1,45 × 104 Pa, las películas de CIGS eran lisas y uniformes, con cristales grandes de distintos tamaños. Sin embargo, los espesores de MoSe2 aumentaron de 50 nm a 2.109 nm, lo que generó un aumento de la resistividad de contacto de las estructuras CIGS/MoSe2/Mo. La eficiencia de las células solares de CIGS pudo aumentar del 1,43% al 4,62% gracias a la mejora de la calidad cristalina del CIGS con el aumento de la presión de selenización de 48 Pa a 1,02 × 103 Pa. Además, la calidad cristalina de CIGS y el espesor de MoSe2 se modificaron mediante el método de proceso de selenización con válvula de presión liberada (PRV). Las calidades cristalinas de las películas de CIGS se vieron afectadas de forma similar por la presión de selenización a 1,02 × 103 Pa en el método de selenización PRV y los espesores de MoSe2 se redujeron de 1.219 nm a 703 nm. Se alcanzó una mayor eficiencia del 5,2% con el MoSe2 más fino obtenido mediante el método de selenización PRV.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:calidad cristalina cigs, método de selenización prv, presión de selenización, cigs, películas cigs, espesor mose2, espesores mose2, proceso de selenización térmica rápida, método de proceso de selenización, diversas presiones de selenización
• Keywords:cigs crystalline quality, prv selenization method, selenization pressure, cigs, cigs films, mose2 thickness, mose2 thicknesses, rapid thermal selenization process, selenization process method, various selenization pressures