Estudiamos el comportamiento eléctrico y óptico de la célula solar HIT mediante mediciones y simulaciones optoeléctricas por TCAD. Comparamos la célula solar HIT con una célula solar convencional de silicio cristalino para identificar los puntos fuertes y débiles de la tecnología HIT. Los resultados ponen de manifiesto distintos mecanismos de pérdida de eficiencia eléctrica y óptica causados por la presencia de la capa de silicio amorfo. La mayor resistividad de las capas de a-Si implica una menor distancia entre las líneas metálicas que provoca un mayor ensombrecimiento. El peor acoplamiento óptico entre el silicio amorfo y el recubrimiento antirreflectante implica un ligero aumento de la reflectividad en torno a la longitud de onda de 600 nm.
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