Resumen

Se adoptó un recubrimiento de Ag de 20 nm sobre el contacto posterior de Mo para mejorar el contacto posterior de las células solares de Cu2ZnSnS4 (CZTS) evaporadas. La capa de Ag ayudó a reducir el espesor de MoS2, lo que mejora significativamente el factor de llenado (FF); además, redujo las fases secundarias ZnS y SnS2-x, lo que puede ayudar al transporte de portadores; también intervino en el dopaje de la capa absorbente, lo que compensó el dopaje intrínseco de tipo p y, por tanto, arrastra el nivel de dopaje. La participación del dopaje puede ampliar la región de agotamiento y mejorar la vida útil del absorbedor, lo que se traduce en una mejora significativa de la tensión de circuito abierto (VOC), la densidad de corriente de cortocircuito (JSC) y la eficiencia. Sin embargo, degrada ligeramente la cristalinidad del material.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:contacto posterior, revestimiento de ag nm, tensión de circuito abierto, fases secundarias zns, capa de ag, capa absorbente, transporte de portadores, densidad de corriente, región de agotamiento, implicación del dopaje
• Keywords:back contact, nm ag coating, open circuit voltage, secondary phases zns, ag layer, absorber layer, carrier transport, current density, depletion region, doping involvement