Resumen

La homogeneidad de los emisores es muy importante para el rendimiento de los dispositivos de emisión de campo (FE). El grabado con iones reactivos (RIE) y la oxidación influyen considerablemente en la geometría de las puntas de silicio. El RIE influye principalmente en la anisotropía de los emisores. La presión tiene un fuerte impacto en el factor anisotrópico. La reducción de la presión da lugar a una mayor anisotropía, pero la velocidad de grabado también es menor. Un mayor tiempo de grabado compensa este efecto. Además, se observa una mejora de la homogeneidad. El impacto del aumento de la presión es bastante bajo para el factor anisotrópico, pero significativo para la homogeneidad. A baja potencia, la altura y la socavación de los emisores son más constantes en toda la oblea. La propia oxidación es muy homogénea y no tiene ningún efecto observable en la variación de la homogeneidad. Este proceso de fabricación modificado permite resolver el problema de la falta de homogeneidad de los anteriores conjuntos de emisión de campo.

• Materias:Propiedades fisicoquímicas Materiales compuestos Fotocatálisis Pavimentos Sistema cuántico
• Subjects:Chemicophysical properties Composite materials Photocatalysis Floors Quantum system
• Palabras claves:factores anisotrópicos, rendimiento del campo, proceso de fabricación modificado, problema de la falta de homogeneidad, mejora de la homogeneidad, geometría del silicio, impacto de la mejora, emisiones de campo anteriores, homogeneidad del emisor, rie
• Keywords:anisotropic factors, performance of field, modified fabrication process, problem of inhomogeneity, improvement of homogeneity, geometry of silicon, impact of uprating, previous field emissions, homogeneity of emitter, rie