Resumen

Se ha publicado una estructura polar de ZnMgO/MgO/ZnO con una capa de Zn1-xMgxO de baja composición en Mg (x = 0,05) crecida sobre un plano (11-20) de zafiro mediante epitaxia de haz molecular con láser de fuente radical. La inserción de una fina capa de MgO (1 nm) entre las capas de ZnMgO y ZnO en las estructuras 2DEG de ZnMgO/ZnO produce un aumento de la densidad de la lámina 2DEG y afecta ligeramente a la movilidad de los electrones. La concentración de portadores alcanzó un valor tan alto como 1,1 × 1013 cm-2, lo que se confirmó mediante mediciones de C-V. En la heteroestructura Zn0,95Mg0,05O/MgO/ZnO se observó una elevada movilidad Hall de 3090 cm2/Vs a 10 K y de 332 cm2/Vs a RT. Se discutió la elección del espesor de MgO. Se calculó teóricamente la dependencia de la densidad de la lámina portadora de 2DEG del espesor de la capa de ZnMgO y la predicción teórica y los resultados experimentales concordaron bien.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:mgo, baja composición mg zn1, zn polar znmgo, espesor capa znmgo, densidad hoja portadora, alta movilidad hall, epitaxia de haz molecular, znmgo, cm2, capa mgo
• Keywords:mgo, low mg composition zn1, zn polar znmgo, znmgo layer thickness, carrier sheet density, high hall mobility, molecular beam epitaxy, znmgo, cm2, mgo layer