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Artículo

Mejoras del proceso de diseño en la industria de transistores de microondas Improvements of the Design Process in the Microwave Transistors Industry

Resumen

Este artículo presenta una técnica para mejorar el proceso de diseño industrial de transistores de microondas,basado en un diseño de experimentos mejorado (DOE) y un modelado electrotérmico (MET) expandido. El diseño de experimentos DOE permitió centrar el diseño a través de variaciones en parámetros específicos, para evitar complejas simulaciones electromagnéticas de acoplamiento mutuo entre los cables dentro del mismo transistor, que generalmente en herramientas CAD convencionales presentan un elevado costo computacional. El modelo electro térmico mejorado utilizando la técnica de voltajes efectivos posibilita predecir no solo el autocalentamiento, sino también las impedancias apropiadas para la máxima potencia de salida y la máxima eficiencia del transistor. De esta manera fue posible elegir las condiciones de operación que garantizaran un reducido autocalentamiento, así como las mejores condiciones de potencia,eficiencia y linealidad. Las técnicas presentadas son útiles para la implementación de amplificadores de potencia en los futuros sistemas de comunicación inalámbricos,ya que deben trabajar con potencias elevadas que producen autocalentamiento y con señales de gran ancho de banda. La combinación de ambas técnicas permite la reducción de diseño y tiempo de producción en el ámbito industrial. El diseño de experimento mejorado posibilita centrar el diseño del transistor para asegurar la obtención delos mejores desempeñosdel transistor.La caracterización térmica facilitóque el transistor de microondas, implementado en un circuito impreso de potencia,funcionará por debajo de la temperatura máxima permitida, lo que garantiza su vida útil y,en consecuencia,la confiabilidad del sistema de transmisión completo.

  • Tipo de documento:Artículo
  • Formato:pdf
  • Idioma:Español
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