Resumen

La convergencia de múltiples funciones en un solo dispositivo es la idea principal que subyace al desarrollo de las tendencias electrónicas actuales. Por ello, la necesidad de una mayor integración en los dispositivos electrónicos es ahora más importante que en el pasado. Las vías de silicio (TSV) son la última tecnología de interconexión propuesta principalmente para una mayor integración y una mayor frecuencia. Por lo tanto, la comunicación cruzada será un problema esencial que hay que tener en cuenta. En este artículo, estudiamos las propiedades eléctricas de una estructura TSV GSSG (S-señal, G-tierra) y proponemos un modelo exacto que puede utilizarse para predecir el rendimiento de la TSV. Dado que se utilizan más matrices dentro de un chip, el TSV de una sola capa no puede satisfacer los requisitos. Por lo tanto, proponemos la estructura TSV multicapa y estudiamos cómo el radio y la altura de la protuberancia y el material de relleno afectan al rendimiento de la transmisión de la TSV y al problema del acoplamiento, para poder realizar un buen diseño de la TSV. Además, se proponen tres modelos de matrices TSV multicapa de 4 × 4 con diferentes distribuciones de GS para analizar los resultados detallados del acoplamiento.

• Materias:Propagación de ondas Electromagnetismo Redes de telecomunicaciones Radiofrecuencia Teoría de Antenas
• Subjects:Wave propagation Electromagnetism Telecommunications networks Radio frequency Antenna theory
• Palabras claves:mayor integración, modelo lumped preciso, tendencias electrónicas actuales, última tecnología de interconexión, buen diseño de tsv, modelo de array de tsv, rendimiento de transmisión de tsv, diferente distribución de g, resultados de acoplamiento detallados, estructura de tsv multicapa
• Keywords:higher integration, accurate lumped model, current electronic trends, latest interconnect technology, good tsv design, tsv array model, tsv transmission performance, different g distribution, detailed coupling results, multilayer tsv structure