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Artículo

Physics-Based Modeling and Experimental Study of Si-Doped InAs/GaAs Quantum Dot Solar CellsModelización basada en la física y estudio experimental de células solares de puntos cuánticos de InAs/GaAs dopados con Si

Resumen

Este artículo presenta un estudio experimental y teórico sobre el impacto de los mecanismos de dopaje y recombinación en las células solares de puntos cuánticos basadas en el sistema InAs/GaAs. Las simulaciones numéricas se basan en un enfoque híbrido que incluye las características cuánticas de los procesos de transferencia de carga entre el material nanoestructurado y el material huésped en un modelo de transporte clásico del continuo macroscópico. Esto permite comprender en detalle los diversos mecanismos físicos que afectan a la eficiencia de la conversión fotovoltaica y proporciona una imagen cuantitativamente exacta de los dispositivos reales a un coste computacional razonable. Los resultados experimentales demuestran que el dopaje con QD proporciona un notable aumento del voltaje en circuito abierto de la célula solar, que las simulaciones numéricas explican como resultado de la reducción de las pérdidas por recombinación a través de los puntos cuánticos y los defectos.

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