Resumen

Los nanocables de silicio están llevando a la era CMOS hacia el límite de la reducción de tamaño y su naturaleza será suprimir eficazmente los efectos de canal corto. La modelización precisa del ruido térmico en los nanocables es crucial para las aplicaciones de RF de las tecnologías nano-CMOS emergentes. En este trabajo, se ha derivado un modelo perfecto dependiente de la temperatura para nanocables de silicio que incluye los efectos de autocalentamiento y se han observado sus efectos sobre los parámetros del dispositivo. La densidad espectral de potencia en función de la resistencia térmica muestra una mejora significativa a medida que disminuye la longitud del canal. Se exploran los efectos del ruido térmico incluyendo el autocalentamiento del dispositivo. Además, se analiza la reducción significativa del ruido con respecto a la resistencia térmica del canal, la longitud de la puerta y la polarización.

• Materias:Modelado Sensores inalámbricos Parámetros de control Metamodelos Multimedia metamodelo Sistema de control
• Subjects:Modeling Wireless sensors Control parameters Metamodels Multimedia metamodel Control system
• Palabras claves:ruido térmico, resistencia térmica, efectos de canal corto, efectos propios, modelado preciso, era CMOS, aplicaciones RF, nanocables de silicio, longitud de canal
• Keywords:thermal noise, thermal resistance, short channel effects, effects, self, Accurate modeling, CMOS era, RF applications, Silicon nanowires, channel length