Resumen

Este trabajo describe el análisis de la morfología y la resistividad eléctrica (ρ) obtenidas en el sistema Au/Cu/Si. Las bicapas de Au/Cu se depositaron mediante la técnica de evaporación térmica con espesores de 50 a 250 nm sobre sustratos de SiOx/Si(100). La relación de concentración Au :Cu de las muestras fue de 25 : 75 at%. Las bicapas se recocieron en un horno de vacío con atmósfera de argón a 660 K durante una hora. Las estructuras cristalinas de las aleaciones AuCu y CuSi se confirmaron mediante análisis de difracción de rayos X. Se utilizaron la microscopía electrónica de barrido (SEM), la microscopía de fuerza atómica (AFM) y la espectroscopía de energía dispersiva (EDS) para estudiar la morfología, el espesor final y la concentración atómica de las aleaciones formadas, respectivamente. Se utilizó la técnica de sonda de cuatro puntos para medir la resistividad eléctrica (ρ) en las aleaciones preparadas en función del espesor. Se midió el valor ρ y se comparó numéricamente con los modelos de resistividad de Fuchs-Sondheimer (FS) y Mayadas-Shatzkes (MS). Los resultados muestran valores de resistividad eléctrica entre 0,9 y 1,9 μΩ-cm. Estos valores son cuatro veces menores que los valores de los sistemas AuCu reportados en la literatura.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos Nanomateriales
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes Nanomaterials
• Palabras claves:resistividad eléctrica, valores, relación de concentración de cu, microscopía de fuerza atómica, técnica de sonda puntual, análisis de difracción de rayos, técnica de evaporación térmica, morfología, sistemas aucu, bicapas de cu
• Keywords:electrical resistivity, values, cu concentration ratio, atomic force microscopy, point probe technique, ray diffraction analysis, thermal evaporation technique, morphology, aucu systems, cu bilayers