En este trabajo se describen los efectos del dopaje de grafeno en poli(3,4-etilendioxitiofeno): poli(sulfonato de estireno), PEDOT:PSS, como capa de inyección de agujeros nanocompuesta de PEDOT:PSS/grafeno en la mejora del rendimiento de los diodos emisores de luz de polímero (PLED). Primero se sintetizaron óxidos de grafeno y luego se mezclaron en la solución de PEDOT:PSS con cantidades específicamente diversas. Los grafenos se redujeron en la matriz de PEDOT:PSS mediante reducción térmica. Se fabricaron dispositivos PLED con una capa nanocompuesta de inyección de agujeros que contenía una concentración de dopaje determinada, y se examinó la influencia de la concentración de dopaje en el rendimiento del dispositivo mediante la caracterización sistemática de varias propiedades del dispositivo. Mediante el dopaje con grafeno, la resistencia en la capa de inyección de agujeros y el voltaje de encendido pudieron reducirse de forma efectiva, lo que benefició la inyección y el transporte de agujeros y dio lugar a una mayor eficiencia global. La conductividad de la capa de inyección de agujeros aumentó monotónicamente con el aumento de la concentración de dopaje; sin embargo, los índices de rendimiento desde diversos aspectos no mostraron la misma dependencia porque los agujeros inyectados más rápidamente podrían alterar no sólo el equilibrio de agujeros y electrones, sino también sus ubicaciones combinadas en la capa emisora de luz. Los resultados muestran que la concentración óptima de dopaje se dio con un 0,03% en peso de óxido de grafeno.
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