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Artículo

Technical Barriers and Development of Cu Wirebonding in Nanoelectronics Device PackagingObstáculos técnicos y desarrollo de la unión de alambres de Cu en el envasado de dispositivos nanoelectrónicos

Resumen

La formación de cráteres en el Bondpad, la corrosión de la interfaz de unión de la bola de Cu, el agrietamiento IMD (dieléctrico intermetálico) y el escalonamiento incontrolado posterior a la unión del alambre son las barreras técnicas clave en el desarrollo del alambre de Cu. En este artículo se analiza la fiabilidad UHAST (unbiased HAST) del alambre de cobre utilizado en los encapsulados BGA de paso fino. Se ha llevado a cabo un análisis en profundidad de los fallos para identificar el mecanismo de fallo en diversas condiciones de montaje. Obviamente, el compuesto de molde verde, el sustrato bajo en halógenos, la optimización de los parámetros de unión del Cu, el tiempo de montaje después de la unión del alambre y el horneado después de la unión del alambre son factores clave para el éxito en el desarrollo del alambre de Cu en los envases nanoelectrónicos. En este artículo se proponen y discuten los mecanismos de fallo de las bolas de Cu tras el ensayo UHAST y las características de fallo de CuAl IMC.

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