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Operando structural characterization of the E-ALD process ultra-thin films growthOperando caracterización estructural del proceso E-ALD crecimiento de películas ultra-delgadas

Resumen

Los primeros sistemas estudiados con operando SXRD han sido elegidos por su química simple y porque ya se habían caracterizado ampliamente con caracterizaciones electroquímicas y espectroscópicas estándar. Al realizar el operando SXRD, hemos sido capaces de abordar varias preguntas abiertas sobre el proceso de crecimiento efectivo, las estructuras, los espesores y la estequiometría. SXRD también ha empleado con éxito en el caso de películas ultra-delgadas cultivadas por E-ALD, lo que permite detectar las reconstrucciones superficiales presentes en las primeras etapas del crecimiento de CdS. La determinación del espesor por medio de las barras de truncación de cristal y el análisis de reflectividad revelaron una imagen muy clara con respecto al proceso de crecimiento de CdS, que es sustancialmente diferente con respecto a un mero crecimiento de capa por capa. En el caso de Cu2S, el operando SXRD ha revelado que la estructura cristalográfica de la película evoluciona tan pronto como los potenciales de control son retirados de la célula con una dinámica de tiempo de pocos segundos. Esta transición estructural es parcialmente reversible si se restaura el potencial aplicado. Eventualmente, el escaneo a lo largo de algunas direcciones recíprocas seleccionadas y aprovechando la adquisición en tiempo real de la intensidad de difracción durante la evolución electroquímica del sistema permitió comprender tanto la estructura como la estabilidad del Cu2S. Esto da la posibilidad de reunir información relativa a la estequiometría y su evaluación por otras técnicas. De hecho, para el sistema Cu-S, existe una relación muy bien definida entre la estructura y la relación Cu: S; Su estabilidad reveló por qué la estequiometría procede de XPS ex situ o por qué la voltametría de separación no es comparable con la estequiometría procedente de las investigaciones estructurales operando. La estequiometría inesperada de la película para Cu2S plantea varias preguntas sobre la estabilidad de este sistema. En conclusión, los resultados operando SXRD se refieren tanto a CdS como a Cu2S, al tiempo que confirman la posibilidad de que se creen películas ultrafinas altamente ordenadas con alta reproducibilidad, y establecen un nuevo e interesante reto para la ciencia fundamental de la superficie al explicar el complejo mecanismo que está detrás del Crecimiento de cristal por medio de E-ALD.

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Información del documento

  • Titulo:Operando structural characterization of the E-ALD process ultra-thin films growth
  • Autor:Giaccherini, Andrea; Felici, Roberto; Innocenti, Massimo
  • Tipo:Capítulo de libro
  • Año:2017
  • Idioma:Inglés
  • Editor:InTech.
  • Materias:Nanociencia Nanotecnología Electroquímica Espectroscopí­a
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