Hemos realizado una simulación numérica de una célula solar de doble heterounión p-GaN/In0,12Ga0,88N/n-GaN, p-i-n. La densidad de dopaje, el grosor de cada capa y el patrón de contacto del dispositivo se investigan bajo una irradiancia solar de AM1,5 para optimizar el rendimiento de la célula solar. Los parámetros característicos de la célula solar optimizada para un área de célula de 1 × 1 mm2 son una tensión de circuito abierto de 2,26 V, una densidad de corriente de cortocircuito de 3,31 mA/cm2, un factor de llenado del 84,6% y una eficiencia del 6,43% con patrón de rejilla interdigitada.
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