Resumen

Se ha desarrollado un proceso de formación de contactos locales y un esquema de integración para la fabricación de células solares de contacto puntual con pasivado posterior. Se ha conseguido una eficiencia de conversión del 19,6% utilizando obleas de silicio monocristalino tipo p, pseudocuadradas, de 156×156 mm. Se trata de una mejora significativa si se compara con las células solares de campo de superficie posterior de aluminio, sin pasivar y de área completa, que sólo presentan una eficiencia de onversión del 18,9 en el mismo tipo de oblea. Se estudió el efecto de la formación del contacto posterior sobre la eficiencia de la célula en función del área y el paso del contacto, y por tanto de la fracción de metalización. Se observó que la forma del contacto y el grosor de la capa de Al-BSF dependían en gran medida del patrón de ablación láser y del área de contacto. La simulación de los parámetros de la célula en función de la metalización demostró que existe un equilibrio entre el voltaje en circuito abierto y el aumento del factor de llenado a medida que varía la fracción de metalización. La superficie posterior se pasivó con una capa de Al2O3 y una capa de recubrimiento de SiNX. El patrón de contacto de la superficie posterior se creó mediante ablación láser y la geometría de contacto se optimizó para obtener un relleno de contacto sin huecos, lo que dio lugar a un campo de superficie posterior uniforme. El aumento de eficiencia de las células con pasivado posterior respecto a las células de referencia se debe principalmente a la mejora de la corriente de cortocircuito y la tensión de circuito abierto.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:tensión de circuito abierto, área de contacto, fracción de metalización, células solares, campo de superficie posterior de aluminio de área completa, proceso de formación de contacto local, patrón de contacto de superficie posterior, obleas de silicio monocristalino, campo de superficie posterior uniforme, parámetros de célula simulados
• Keywords:open circuit voltage, contact area, metallization fraction, solar cells, full area aluminum back surface field, local contact formation process, rear surface contact pattern, single crystalline silicon wafers, uniform back surface field, simulated cell parameters