Resumen

Se realizaron ensayos de indentación basados en microscopios de fuerza atómica (AFM) para examinar las propiedades mecánicas de nanolíneas de silicio (SiNL) monocristalinas paralelas de anchura de línea inferior a 100 nm, fabricadas mediante un proceso que combina la litografía por haz de electrones y el grabado húmedo anisotrópico. Las SiNLs tienen paredes laterales rectas y casi atómicamente planas, y la sección transversal es casi perfectamente rectangular con anchura y altura uniformes a lo largo de la dirección longitudinal. Las curvas carga-desplazamiento medidas a partir de los ensayos de indentación muestran una inestabilidad con grandes ráfagas de desplazamiento a una carga crítica que oscila entre 480 μN y 700 μN. Este fenómeno se atribuye a una transición del modo de pandeo de los SiNL bajo indentación. Utilizando un conjunto de modelos de elementos finitos con análisis posteriores al pandeo, analizamos los modos de pandeo inducidos por la indentación e investigamos los efectos de la ubicación de la punta, la fricción de contacto y la deformación del sustrato en la carga crítica de la transición de modo. Los resultados demuestran un enfoque único para el estudio de nanomateriales y nanoestructuras con patrones mediante una combinación de experimentos y modelado.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos Sistema de nanopartículas
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Bioengineering Nanostructures Nanocomposites Nanoparticle system
• Palabras claves:sinls, carga crítica, ensayos de indentación, microscopio de fuerza atómica-(afm-, nanolíneas de silicio cristalino, modelos de elementos finitos, grandes ráfagas de desplazamiento, nm de anchura de línea, indentación, litografía de haz
• Keywords:sinls, critical load, indentation tests, atomic force microscope-(afm-, crystal silicon nanolines, finite element models, large displacement bursts, nm line width, indentation, beam lithography