Resumen

En  este  artículo  se  analiza  el  cambio  del  perfil  potencial  dispersor  en  algunos  compuestos, considerando  el  efecto  de  mezcla  de  huecos  ligeros  y  pesados.  Esto  se  obtiene  aplicando  el Teorema  de  Shur ́s  Generalizado  al  problema  cuadrático  de  autovalores  obtenido  a  partir    del problema    que    surge    de    un      sistema    de    ecuaciones    diferenciales    N-acoplado  del  segundo orden,  en  el  marco  de  la  Aproximación  de  Masa  Efectiva  Multibanda.  Consideramos energías incidentes  menores,  iguales  y  mayores  que  la  altura  de  la  barrera  del  potencial  dispersor  para diferentes    compuesto    binarios    semiconductores    del    grupo  III-V.  En  la  descripción  del  perfil del  potencial,  empleamos  el  modelo  de  bandas  de  Kohn-lutinger  (4x4)  y  (2x2)  por  completitud. Las  propiedades  estándar  como  pozo  cuántico  o  barrera  potencial  de  los  compuestos  binarios considerados,  resultaron  en  lo  general  garantizadas,  mas  no  todos  los  materiales  seleccionados mostraron la evolución esperada en su perfil potencial: algunos que constituyen pozos cuánticos (QW) en aplicaciones tecnológicas, presentaron un comportamiento de barrera potencial efectiva (B) para huecos ligeros (lh), a diferentes rangos de energía incidente E  y diferentes mezclas. En este  estudio,  ninguno  de  los  compuestos  con  comportamiento  de  barrera  en  aplicaciones tecnológicas,  evolucionó  a  un  comportamiento  de  QW  efectivo,  válido  tanto  para  lh  como  hh. Sorprendentemente todos los compuestos en este estudio que constituyen barreras en aplicaciones tecnológicas,  presentaron  transiciones  desde  QW  a  B  para  lh  en  el  rango  donde  el  valor  de  la energía es mayor que la altura de la barrera V_o-

• Materias:Masa (Física) Energía Ecuaciones
• Subjects:Mass (Physical) Energy Equations
• Palabras claves:Problema cuadrático de autovalores, perfil del potencial dispersor
• Keywords:Quadratic eigenvalue problem, dispersing potential profile.