Resumen

Se han desarrollado conmutadores MEMS RF capacitivos en derivación utilizando tecnología III-V y empleando láminas delgadas de Ta2O5 (pentóxido de tántalo) como capas dieléctricas. Con el fin de evaluar el potencial de las películas delgadas de Ta2O5 para la aplicación considerada, se ha llevado a cabo la caracterización composicional, estructural y eléctrica de las películas depositadas, demostrando que son buenas candidatas para ser utilizadas como capas dieléctricas para la fabricación de interruptores MEMS de RF. En concreto, las películas de Ta2O5 muestran una densidad de corriente de fuga de pocos nA/cm2 para E~1 MV/cm y una elevada constante dieléctrica de 32. Además, se ha investigado el proceso de carga, descubriéndose que sigue una ley exponencial estirada. Los interruptores fabricados muestran tensiones de actuación en el rango de 15-20 V, una pérdida de inserción mejor que -0,8 dB hasta 30 GHz, y un aislamiento de ~-40 dB a la frecuencia de resonancia, que se sitúa en torno a 25 GHz.

• Materias:Sensores Sensores táctiles Sensor termoeléctrico Sensores de fibra óptica Sensores piezoeléctricos
• Subjects:sensors Tactile sensors Thermoelectric sensor Fiber optic sensors Piezoelectric sensors
• Palabras claves:interruptores mems, capas dieléctricas, películas finas, alta constante dieléctrica, ley exponencial estirada, ghz, películas, tecnología v, tensiones de actuación, rf capacitiva
• Keywords:mems switches, dielectric layers, thin films, high dielectric constant, stretched exponential law, ghz, films, v technology, actuation voltages, capacitive rf