Resumen

La fabricación microelectrónica de Si suele implicar procesos de alta temperatura o alta energía. Por ejemplo, la fabricación de obleas, la fabricación de transistores y la silicidación superan los 500°C. En contra de esa tradición, creemos que los procesos de baja energía constituyen una alternativa mejor para permitir la aplicación industrial de dispositivos monomoleculares basados en materiales 2D. El presente trabajo aborda el procesado postsíntesis del grafeno a baja temperatura, baja energía y baja presión no convencionales en la transferencia asistida por polimetilmetacrilato (PMMA) del grafeno a la oblea de óxido, en la litografía por haz de electrones con PMMA y en el patronaje por plasma del grafeno con una máscara de cinta de PMMA. Durante la exposición al plasma de oxígeno, las zonas desprotegidas de grafeno se convierten en óxido de grafeno. El tiempo de exposición necesario para producir los patrones de cinta sobre grafeno es de 2 minutos. Producimos patrones de cinta de grafeno con una anchura de ∼50 nm y los integramos en dispositivos transistorizados de estado sólido y líquido.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Nanopartículas Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Nanoparticles Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:grafeno, procesos energéticos, máscara de cinta pmma, dispositivos transistores con compuerta, patrones de cinta de grafeno, baja temperatura no convencional, materiales 2d, fabricación microelectrónica, litografía de haz, mejor alternativa
• Keywords:graphene, energy processes, pmma ribbon mask, gated transistor devices, graphene ribbon patterns, unconventional low temperature, 2d materials, microelectronic fabrication, beam lithography, better alternative