Resumen

Investigamos la relajación energética de los portadores calientes en un dispositivo de grafeno crecido por CVD con una capa superior de h-BN conduciendo los dispositivos al régimen de no equilibrio. Utilizando las fluctuaciones de conductancia dependientes del campo magnético de nuestro dispositivo de grafeno como autotermómetro, podemos determinar la temperatura efectiva de los portadores T e a diversas corrientes de conducción I, manteniendo fija la temperatura de red T L. Es interesante observar que T e es proporcional a la temperatura de red T L. Curiosamente, se observa que T e es proporcional a I, lo que indica poca dispersión electrón-fonón en nuestro dispositivo. Además, la tasa media de pérdida de energía por portador P e es proporcional a ( T e 2 - T L 2 ), lo que sugiere la difusión de calor en lugar de procesos de fonones acústicos en nuestro sistema. Los largos tiempos de relajación energética debidos al débil acoplamiento electrón-fonón en el grafeno CVD recubierto con una capa de h-BN, así como en el grafeno multicapa exfoliado, pueden encontrar aplicaciones en dispositivos basados en grafeno de portadora caliente.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:capa bn, t e, dispositivo de grafeno, temperatura efectiva del portador t e, temperatura de la red t l, tiempos largos de relajación de la energía, procesos de fonones acústicos, portador p e, fluctuaciones dependientes de la conductancia, grafeno portador caliente
• Keywords:bn layer, t e, graphene device, effective carrier temperature t e, lattice temperature t l, long energy relaxation times, acoustic phonon processes, carrier p e, dependent conductance fluctuations, hot carrier graphene