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Preparation of Cu2Sn3S7 Thin-Film Using a Three-Step Bake-Sulfurization-Sintering Process and Film CharacterizationPreparación de una película delgada de Cu2Sn3S7 mediante un proceso de tres pasos de horneado-sulfuración-sinterización y caracterización de la película

Resumen

El Cu2Sn3S7 (CTS) puede utilizarse como capa absorbente de luz para células solares de película fina debido a sus buenas propiedades ópticas. En esta investigación, se utilizó el proceso de polvo, horneado, azufre y sinterización (PBSS) en lugar del pulverizado en vacío o la preparación electroquímica para formar CTS. Durante la sinterización, se recubrieron polvos de Cu y Sn mezclados en proporción estequiométrica para formar el precursor de película fina. Se sulfuró en una atmósfera de azufre para formar el CTS. Se investigó el mecanismo metalúrgico de la película de CTS. Tras la sinterización a 500°C, la película delgada formó la fase Cu2Sn3S7 y la fase sin impurezas, mejorando su brecha de banda energética. La interfaz de la película CTS es continua y la formación de la capa de compuesto intermetálico puede aumentar la concentración de portadores y la movilidad. Por lo tanto, el CTS preparado mediante el proceso PBSS puede utilizarse potencialmente como capa de absorción de células solares.

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