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Preparation and Characterization of (Au/n-SnO2/SiO2/Si/Al) MIS Device for Optoelectronic ApplicationPreparación y caracterización de dispositivos MIS (Au/n-SnO2/SiO2/Si/Al) para aplicaciones optoelectrónicas

Resumen

Se prepararon películas delgadas de SnO2 mediante oxidación térmica rápida (RTO) de Sn a una temperatura de oxidación de 873 K y un tiempo de oxidación de 90 segundos sobre un sustrato semiconductor de silicio de tipo n y tipo p. Para caracterizar el dispositivo preparado, se midieron sus propiedades eléctricas. Para caracterizar el dispositivo preparado, se han medido las propiedades eléctricas, que han revelado que la altura de la barrera depende en gran medida del grosor de la capa interfacial (SiO2). El valor del pico de respuesta del dispositivo (n-SnO2/SiO2/n-Si) fue de 0,16 A/W, superior al del dispositivo (n-SnO2/SiO2/p-Si), cuyo valor fue de 0,12 A/W, mientras que el tiempo de subida resultó ser más corto.

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